♦ ELITE (增強型鎖相熱發(fā)射顯微鏡)

我們始終如一的堅持為客戶提供有效的解決方案可有效應用于半導體產品研發(fā)與生產周期的每個階段。

眾所周知，鎖相熱發(fā)射顯微鏡如今已成為高等電性故障分析流程中不可或缺的技術手段。有缺陷的或表現(xiàn)不佳的半導體器件常常表現(xiàn)出異常分布的功耗從而導致局部溫度升高。賽默飛提供的Thermo Scientific ELITE增強型鎖相熱發(fā)射顯微鏡利用其InSb紅外相機完成成像, 能準確有效地定位這些領域。

鎖相熱成像是一種動態(tài)紅外熱成像，可提供更好的信號噪聲比以及更高的靈敏度。鎖熱成像分析法可以用來定位線路短路，靜電放電缺陷，氧化損傷，缺陷的晶體管和二極管，以及器件latch-up。

圖1a，增強型鎖相熱發(fā)射顯微鏡示意圖

圖1b，增強型鎖相熱發(fā)射顯微鏡工作原理示意圖

♦ ELITE的應用

ELITE的應用范圍廣泛，且具有無損分析和缺陷深度分析等功能，在半導體各環(huán)節(jié)的失效分析中都扮演著重要角色。

應用領域廣泛：賽默飛的ELITE可廣泛應用于半導體各個領域，通過增強型鎖相熱成像技術準確定位到各種不同的缺陷位置，如：
•  晶圓缺陷
•  封裝缺陷
•  PCB電路板缺陷

圖2 ELITE缺陷定位圖

a: ELITE定位芯片缺陷 b:ELITE定位封裝缺陷 c:ELITE定位PCB電路板缺陷
 

非破壞性失效位置定位：紅外光具有穿透能力，可以穿透封裝體被ELITE的InSb紅外相機收集，在不破壞樣品的前提下完成缺陷位置定位，這是傳統(tǒng)光發(fā)射顯微鏡不具備的能力。輔以X-Ray和SAM等無損分析機臺檢測缺陷。

圖3a, ELITE無損失效定位示意圖
                     

圖3a, ELITE無損失效定位示意圖                                        圖3c, X-ray在熱點位置發(fā)現(xiàn)缺陷

缺陷深度分析：ELITE經由解析相角可以作熱點來源深淺的判斷，實現(xiàn)缺陷深度分析的功能，這種分析手段是其他光學定位系統(tǒng)所不具備的。

深度分析的基本理念是通過建立3D模型來分析缺陷深度，圖4為深度分析的建模和分析流程。

圖4， ELITE深度分析建模和分析簡介

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當然除了ELITE系列，賽默飛也提供面向集成電路物性和電性缺陷分析的整套解決方案。不論是從設計驗證，物性和電性分析還是良率提升，工藝控制，來料質量控制等各個環(huán)節(jié)方面，賽默飛都有一套綜合、有效的解決方案應對不同客戶的需求。賽默飛誠摯邀請您齊聚IPFA 2018（新加坡），在2018年7月16日至19日的新加坡濱海灣金沙酒店（MARINA BAY Sands SINGAPORE）分享解決方案，探討未來技術發(fā)展，探索更高領域的工藝。